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2英寸碳化硅單晶片
       碳化硅是性能優異的第三代寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大,本征溫度高,電子飽和漂移速度高等優點。sic器件在高溫、高頻、大功率、高電壓光電子及抗輻照等方面具有優勢,在航空、航天、石油勘探、光存儲、顯示以及白光照明等領域具有巨大應用前景,并將為電力電子技術帶來革命性的巨變。
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3英寸碳化硅單晶片
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4英寸碳化硅單晶片
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6英寸碳化硅單晶片
       碳化硅是性能優異的第三代寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大,本征溫度高,電子飽和漂移速度高等優點。sic器件在高溫、高頻、大功率、高電壓光電子及抗輻照等方面具有優勢,在航空、航天、石油勘探、光存儲、顯示以及白光照明等領域具有巨大應用前景,并將為電力電子技術帶來革命性的巨變。
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碳化硅MOSFET-產品規格書-CGE1M120080-TO247
1200V/80mΩ碳化硅MOSFET-CGE1M120080-TO247
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