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氮化鎵基外延片

       氮化鎵外延片為第三代寬禁帶半導體外延材料的典型代表,具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和高化學穩定性等優異性能;廣泛應用于新能源汽車、微波通信、軌道交通、航空航天、光電子等領域。


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