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2-4英寸磷化銦單晶片

       磷化銦(InP)是一種重要的化合物半導體材料,具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優點。適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態發光、微波通信、光纖通信、太陽能電池、制導/導航、衛星等民用和軍事等領域的應用十分廣闊。

 

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