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2-6英寸碳化硅單晶片

       碳化硅(SiC)是性能優異的第三代寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩定性好、電子飽和漂移速度高等優點。該產品在航空航天、軌道交通、光伏發電、電力傳輸、新能源汽車等領域具有巨大應用前景,并將為電力電子技術帶來革命性的巨變。


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