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碳化硅功率模塊


       SiC器件在高壓、大功率、高溫、高頻及抗輻照等方面具有巨大的應用潛力,能夠有效提高系統效率、降低能耗、減小裝置的體積和重量、提高系統可靠性。碳化硅功率模塊(SiC Power Module)由碳化硅MOSFET與碳化硅SBD集成的功率模塊,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車、分布式新能源等領域具有極其廣泛的應用前景。與傳統硅模塊相比,碳化硅模塊具有更高的工作結溫、更高的功率密度、更低的開關損耗以及更快的工作頻率,以滿足功率轉換系統對半導體產品更高性能的要求。


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