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碳化硅高純粉料(SiC)

       碳化硅高純粉料(SiC)由高純硅粉和高純碳粉通過高溫固相反應法合成,其純度可達99.999%wt以上。其氮、硼、鋁等雜質含量極低,可在高純半絕緣碳化硅單晶生長中,提高其半絕緣性能。


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